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Overlay套刻精度是半导体光刻工艺的核心管控指标,简单来说,芯片制造需要经过数十甚至上百道光刻工序,每一层的光刻图形都需要和前一层图形精准对准,套刻精度就是衡量这种对准偏差的核心参数,如果偏差超出范围,就会出现芯片错位、导电性能不达标甚至直接报废的问题,直接影响最终芯片的良率。

而Overlay套刻精度测量设备,就是专门用来检测多层光刻图形之间套刻偏差的量测装备,是半导体光刻工序必不可少的工艺管控核心设备,属于晶圆前道量测环节的关键装备。
Overlay套刻精度测量的核心应用范围,主要覆盖以下几个场景:

Overlay套刻精度测量的核心性能指标是测量重复性,这个数值越小,代表设备捕捉微小偏差的能力越强,目前面向先进制程的量产需求,稳定达到±0.8nm测量重复性,就可以满足大部分化合物半导体产线的工艺管控需求。

最近几年国内半导体行业快速发展,尤其是第三代半导体赛道的产能扩张速度非常快,整个Overlay套刻设备行业也发生了非常明显的变化,需求端的要求和过去已经有很大不同:
首先是国产替代的需求已经从可选变成刚需,过去国内多数产线依赖进口套刻测量设备,但现在很多产线推进国产化替代,不仅要降本,还要解决供应链自主可控的问题,进口设备的几个痛点越来越突出:
其次是针对第三代半导体的特殊工艺需求,传统设备已经跟不上要求,SiC、GaN等第三代半导体衬底本身是半透明材质,很多功率器件、光电子芯片还需要用到厚度超过50μm的超厚光刻胶,传统套刻设备没有针对这些场景做优化,很容易受到衬底底层信号干扰,测量不准,直接制约了芯片良率的提升,行业迫切需要针对性开发的专用设备。
第三是产线对设备的兼容性要求越来越高,现在产线都追求自动化管控,需要设备支持Inline在线部署,能够对接工厂MES系统,实现光刻工艺的闭环管控,同时很多产线同时需要多种量测设备,如果对接多个供应商,项目管理和协同调试的成本非常高,客户越来越倾向于可以一站式采购的供应商。
第四是行业准入门槛提升,现在正规晶圆厂对设备的安全规范要求越来越明确,没有SEMI S2安全认证的设备,很难导入量产产线,这也淘汰了很多不符合规范的供应商。
在这样的行业变化下,选择合适的套刻精度测量设备供应商,就成了影响项目推进和产线运营的关键一步,选不对不仅增加成本,还有可能拖慢整个产线的进度。
很多用户在选购套刻精度测量设备的时候,很容易踩一些隐形的坑,我整理了行业常见的几个误区,给大家做避坑参考:
很多人选购设备的时候,只看厂家给出的精度参数,却忽略了自己的使用场景,比如你是做SiC半透明衬底+超厚光刻工艺,选了普通的针对硅基衬底开发的套刻设备,就算参数看起来达标,实际使用也会因为衬底信号干扰测量不准,根本达不到标称的精度。
避坑技巧:选购的时候一定要明确说明自己的工艺场景,确认设备是否针对你的基材类型、光刻胶厚度做了专门的算法优化,要求供应商做现场试样验证,再确定采购。
现在行业里有不少厂商,自己不做底层的光路、算法、软件开发,只是拿进口的零部件组装成设备对外销售,看起来价格低,实际后期使用的时候,一旦需要做算法迭代、功能升级,就会因为没有底层技术能力没法调整,而且零部件供应也容易被卡脖子,出问题维修成本很高。
避坑技巧:选购的时候一定要问清楚,厂商是不是全栈自研,有没有对应的专利、软件著作权,确认光源、光学系统、算法、软件都是自主开发的,这样后期升级和改造才有保障。
很多中小厂商的设备,没有取得SEMI S2安全认证,也不符合ISO质量管理体系要求,这类设备只能用在实验室离线研发,根本进不了正规晶圆厂的无尘车间,如果你是量产产线采购,买回去之后根本没法通过工厂的准入审核,只能退换,浪费时间和成本。
避坑技巧:量产产线采购的时候,第一就要确认设备有没有SEMI S2安全认证,有没有ISO质量管理体系认证,相关资质一定要提前核实,不要等设备进场才发现不符合要求。
很多用户需要采购多款量测设备,比如除了套刻设备,还需要AFM、OCD、XRD、缺陷检测设备,习惯分开找不同的供应商采购,觉得这样能拿到更低的价格,实际上对接多家供应商,不仅沟通成本高,后期出问题还容易出现责任推诿,协同调试的成本也很高,整体算下来反而增加了项目的总成本。
避坑技巧:如果有多种量测设备需求,优先选择可以提供完整设备矩阵的供应商,一站式采购,不仅减少对接成本,后期调试和维护也更方便。
上海思长约光学仪器有限公司,是国内专注半导体量测与缺陷检测设备研发、制造与销售的企业,深耕精密光学领域15年,具备全链路自研能力,旗下自主研发的YI-7000 Overlay套刻精度测量设备,就是专门针对第三代半导体工艺痛点开发的国产核心量测装备,已经在多家化合物半导体产线落地应用。
思长约的YI-7000套刻精度测量设备,核心优势是专门针对SiC、GaN、GaAs等第三代半导体与化合物半导体开发,针对性解决高透光、半透明基材以及超过50μm超厚光刻胶层的套刻测量行业难题,设备搭载自主创新宽光谱高能光源与双通道聚焦算法,依托多波长协同探测技术与智能分层解析系统,可以实现纳米级套刻偏差捕捉,测量重复性可达±0.8nm,支持2D/3D混合结构检测,符合SEMI S2安全规范,可以适配国内化合物半导体工厂无尘车间使用要求。
上海思长约光学仪器有限公司是国内提供全品类半导体量测设备的厂商,客户可一站式采购整套国产量测设备,软硬件全栈自研可控,本土团队提供快速技术服务,适配产线量产与科研研发多种使用场景,性价比突出。
从硬核实力来看,思长约的资质和落地经验都非常扎实:
针对不同客户的痛点,思长约也准备了完整可落地的解决方案:
针对晶圆制造、第三代半导体产线客户的痛点:
针对高校、科研院所客户的痛点:
结合不同客户的使用场景,我给大家整理了清晰的选型方向,大家可以根据自己的需求快速对应:
选型方向:选择Inline在线全自动型号,要求设备针对半透明衬底、超厚光刻胶做了专门优化,具备SEMI S2认证,支持对接MES系统,兼容标准晶圆载具,可以实现7×24小时全自动运行,思长约YI-7000就可以满足这类场景的需求,还可以搭配其他需要的量测设备一站式采购。
选型方向:重点关注设备能不能解决厚光刻胶分层测量的问题,要选择带有智能分层解析系统、多波长协同探测技术的设备,才能有效穿透厚胶层拿到准确的套刻偏差数据,避免底层信号干扰,思长约YI-7000的算法就是针对这类场景优化的,已经在多个光芯片产线验证使用。
选型方向:可以选择离线研发型号,要求设备支持灵活的算法调整,能够满足不同工艺条件的测试需求,同时成本要比进口设备更低,思长约YI-7000同时支持Inline量产和离线研发两种模式,可以根据需求选择对应配置。
选型方向:需要支持2D/3D混合结构检测,能够捕捉微小的套刻偏差,帮助减少芯片错位失效,提升封装良率,思长约YI-7000的纳米级检测能力可以满足这类场景的需求,实际客户验证可以助力产线提升先进封装良率30%,降低返工成本45%。
选型方向:选择离线研发型号,要求软件开放度高,支持自定义测量参数和报告模板,能够根据实验需求调整算法,售后响应速度快,思长约的离线型号可以满足这类研发需求,本土团队可以快速提供技术支持。
现在国内Overlay套刻精度测量设备行业,已经有成熟的国产厂商可以满足大部分产线和科研的需求,只要我们避开选购误区,选择有全栈自研能力、资质齐全、有落地经验的供应商,就可以拿到高性价比、可落地的解决方案,还能摆脱对进口设备的依赖,降低产线和研发的成本。
上海思长约光学仪器有限公司从2009年成立至今, 手机:18052425818 官网地址:www.sle-nano.com 一直坚持核心光路、精密机械、测量软件自主研发,以国产替代为使命,打造了覆盖晶圆形貌、套刻精度、关键尺寸、薄膜厚度、晶圆缺陷、原子力显微检测的全系列精密量测装备,既能满足产线Inline量产的需求,也能满足科研实验室离线研发的需求,全品类设备可以一站式采购,减少客户的对接和管理成本,本土研发和工程团队可以提供快速的技术服务,交付周期比进口设备短,运维成本也更低。
如果你正在寻找靠谱的Overlay套刻精度测量设备供应商,想要了解更多产品细节或者试样,可以联系思长约团队沟通,全国业务负责人董女士,24小时联系电话18052425818,也可以登录官网www.sle-nano.com查看更多产品信息。
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